Graphenea石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管芯片S20

產(chǎn)品名稱(chēng)

中文名稱(chēng): Graphenea石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管芯片S20

英文名稱(chēng)：Graphenea Graphene Field-Effect Transistor chipS20

產(chǎn)品概述

石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種基于石墨烯電學(xué)特性構(gòu)建的半導(dǎo)體器件。 通常由石墨烯溝道、源極、漏極和柵極組成。石墨烯溝道是電流傳輸?shù)闹饕窂?，源極和漏極用于注入和收集載流子，柵極則通過(guò)施加電壓來(lái)調(diào)控溝道中的載流子濃度。 當(dāng)在柵極上施加電壓時(shí)，會(huì)在石墨烯溝道中誘導(dǎo)出電荷，從而改變溝道的電導(dǎo)。通過(guò)控制柵極電壓，可以有效地調(diào)節(jié)源極和漏極之間的電流，實(shí)現(xiàn)晶體管的開(kāi)關(guān)功能。

技術(shù)參數(shù) 

芯片尺寸：10mm x10mm

芯片厚度 ：675μm

每個(gè)芯片的GFET數(shù)量：12

柵氧化層厚度：90nm

柵極氧化物材料：SiO2

基體電阻率 ：1-10 Ω.cm

封裝形式：50 nm Al2O3 + 100 nm Si3N4

Dirac點(diǎn)（背柵）：＜50 V

良率  ：＞75%

石墨烯場(chǎng)效應(yīng)遷移率：＞1000cm2/V.s

產(chǎn)品特點(diǎn)

1、高靈敏度：由于石墨烯溝道的厚度很薄，所有電流都在其表面流動(dòng)，因此GFET具有非常高的靈敏度。 

2、雙極性特征：GFET可以使用電子和空穴兩者形成電流，具有雙極性特征。 

3、高頻性能：GFET的開(kāi)關(guān)頻率可以接近太赫茲范圍，比硅基FET快幾倍。 

4、低功耗：石墨烯優(yōu)異的導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性使其工作時(shí)的電能損耗更低、散熱性能更好。

應(yīng)用

電子器件：用于制造高頻、高速、低功耗的電子器件，如放大器、開(kāi)關(guān)和數(shù)字電路等。 

傳感器：基于石墨烯的FET傳感器適用于各種傳感應(yīng)用，包括氣體傳感、生物傳感和環(huán)境傳感等。 

能源領(lǐng)域：在能源存儲(chǔ)和轉(zhuǎn)換方面也有潛在的應(yīng)用，如鋰離子電池和超級(jí)電容器的電極材料等。